الائے جنکشن ٹرانزسٹر Alloy-junction Transistor

ٹرانزسٹر کو سب سے پہلے تجارتی طور پر کامیابی سے تیار کرنے کا طریقہ جرمینئم الائے جنکشن طریقہ تھا۔ اگرچہ چند پاور ٹرانزسٹر اب بھی اسی طریقے سے تیار کئے جا رہے ہیں تاہم اب یہ طریقہ تاریخ کا حصہ بن چکا ہے کیونکہ اس کی جگہ پلانر طریقے نے لے لی ہے۔
الائے جنکشن طریقے میں ٹرانزسٹرز کو انفرادی طور پر تیار کیا جاتا ہے۔این نوعیت کے جرمینئم کی باریک سی پرت کے دونوں طرف، جو تقریباً 50 مائیکرو میٹر موٹی ہوتی ہے، انڈیئم کے دو پیلیٹ جو وصول کنندہ (ایکسیپٹر) امپیوریٹی ہے، جوڑ دیئے جاتے ہیں۔ اسے 500 درجے سینٹی گریڈ درجہء حرارت پر گرم کیا جاتا ہے (جو انڈیئم کے نقطہ پگھلائو کے قریب ہے)تاکہ دو پی ریجن تشکیل دیئے جا سکیں۔ یہ دو پی ریجن ایمیٹر اور کلکٹر ہوتے ہیں جن کے درمیان باریک سی این جگہ ہوتی ہے۔ یہ مثالی طور پر 10 مائیکرو میٹر ہوتی ہے۔یہ بیس بناتی ہے۔اس کے بعد ٹانکے یا ویلڈنگ سے تاریں جوڑکر باہر نکالی جاتی ہیں اور ٹرانزسٹر کو سیل کر دیا جاتا ہے۔ واضح رہے کہ پی سے مراد پازیٹو اور این سے مراد نیگیٹو ہے-
یہ طریقہ کار نسبتاً زیادہ لاگت اور کم پیداوار کا حامل ہے اور صرف لو فریکوئنسی ٹرانزسٹرز کی تشکیل کے لئے کارآمد ہے۔ اس کی وجہ یہ ہے کہ ٹرانزسٹر کی کٹ آف فریکوئنسی fT بڑی حد تک بیس ریجن کی چوڑائی پر منحصر ہوتی ہے۔

 

بھائی ابن آدم پسند فرمانے کا بے حد شکریہ۔ آپ سے درخواست کروں گا کہ میری ارسال کردہ معلومات میں اگر کوئی اصلاح طلب امر ہو تو ضرور رہنمائی فرمایے گا۔